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MOS管MOS管是电压控制型器件,栅极(G)的电压控制源极(S)和漏极(D)之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。NMOS管的原理图示如下它们好像是一个受外界磁力控制的开关,当外面有红色磁体时,好像栅极(G)加压,内部的黄色阀门

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晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是

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晶体管公共发射极(CE)配置:在此电路中,放置了发射极输入和输出通用.输入信号施加在基极和发射极之间,输出信号施加在集电极和发射极之间.Vbb和Vcc是电压.它具有高输入阻抗,即(500-5000欧姆).它具有低输出阻抗,即(50

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CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,;表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---

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滤波器是由电感器和电容器构成的网路,可使混合的交直流电流分开。电源整流器中,即借助此网路滤净脉动直流中的涟波,而获得比较纯净的直流输出。基本的滤波器,是由一个电容器和一个电感器构成,称为L型滤波。所有各型的滤波器,都是L型单节滤波

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