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06
2026-08
星期 四
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广州真空磁控溅射工艺 广东省科学院半导体研究所供应
针对深紫外光电子器件的材料需求,研究所开展了磁控溅射制备AlN薄膜的专项研究。借鉴异质外延技术思路,在不同晶面取向的蓝宝石衬底上采用反应磁控溅射沉积AlN薄膜,并结合高温退火工艺优化晶体质量。研究发现,经1700℃退火后,c面蓝宝
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06
2026-08
星期 四
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广州直流磁控溅射设备 广东省科学院半导体研究所供应
在第三代半导体材料制备中,该研究所通过单步磁控溅射工艺实现了关键技术突破。针对蓝宝石衬底上GaN材料生长时氧元素扩散导致的n型导电特性问题,研究团队创新性地采用磁控溅射技术引入10nm超薄AlN缓冲层,构建高效界面调控机制。终制备
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2026-08
星期 四
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广州双靶磁控溅射用途 广东省科学院半导体研究所供应
选择钨膜磁控溅射方案时,需要综合考虑薄膜的应用需求、设备性能和工艺参数。钨膜因其优良的导电性和耐腐蚀性,常用于微电子互连层和接触层,选择合适的溅射工艺对实现所需薄膜性能至关重要。首先,应明确薄膜的厚度范围和均匀性要求,根据基底尺寸
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2026-08
星期 四
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广州直流磁控溅射原理 广东省科学院半导体研究所供应
针对不同科研和产业需求,金属薄膜磁控溅射推荐主要聚焦于设备选型、工艺路线和材料体系的合理搭配。选择合适的磁控溅射设备和参数组合,是保证薄膜质量和工艺稳定性的基础。推荐过程中需综合考虑溅射靶材种类、基板尺寸、加热温度范围以及电源配置
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2026-08
星期 四
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广州平衡磁控溅射设备 广东省科学院半导体研究所供应
该研究所将磁控溅射技术应用于太阳能电池的效率提升,开发了新型减反射与背场薄膜制备工艺。采用中频闭场不平衡磁控溅射技术,在晶硅电池表面沉积SiNx减反射膜,通过调控薄膜厚度与折射率,使电池光吸收率提升8%。同时,利用直流磁控溅射制备

