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IGBT的工作原理基于场效应和双极导电两种机制。当在栅极G上施加正向电压时,栅极下方的硅会形成N型导电通道,就像打开了一条电流的高速公路,允许电流从集电极c顺畅地流向发射极E,此时IGBT处于导通状态。当栅极G电压降低至某一阈值以
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IGBT**性能指标电压等级范围:600V至6.5kV(高压型号可达10kV+)低压型(<1200V):消费电子/家电中压型(1700V-3300V):工业变频/新能源高压型(4500V+):轨道交通/超高压输电电流容量典型
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新能源汽车是IGBT比较大的应用场景,车规级IGBT模块堪称车辆的“动力心脏”。在新能源汽车的电机控制器中,IGBT承担重心任务:将动力电池输出的高压直流电(如300-800V)逆变为交流电,驱动电机运转,其性能直接影响电机效率、
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IGBT的诞生源于20世纪70年代功率半导体器件的技术瓶颈。当时,MOSFET虽输入阻抗高、开关速度快,但导通电阻大、通流能力有限;BJT(或GTR)虽通流能力强、导通压降低,却存在驱动电流大、易发生二次击穿的问题;门极可关断晶闸
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IGBT的静态特性测试是评估器件基础性能的关键,需借助半导体参数分析仪等专业设备,测量主要点参数以验证是否符合设计标准。静态特性测试主要包括阈值电压Vth测试、导通压降Vce(sat)测试与转移特性测试。Vth测试需在特定条件(如

