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星期 四

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IGBT的驱动电路设计需兼顾“可靠导通关断”“抑制开关噪声”“保护器件安全”三大需求,因器件存在米勒效应与少子存储效应,驱动方案需针对性优化。首先是驱动电压控制:导通时需提供12-15V正向栅压,确保Vge高于阈值电压Vth(通常

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星期 四

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随着人形机器人、低空经济等新兴领域爆发,IGBT正成为推动行业变革的“芯引擎”。在人形机器人领域,关节驱动器是重心执行部件,每个电机需1-2颗IGBT实现高效驱动——机器人关节空间有限,要求IGBT具备小体积、高功率密度特性,同时

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在双碳战略与新能源产业驱动下,IGBT市场呈现爆发式增长,且具备重要的产业战略意义。从市场规模看,QYResearch数据显示,2025年中国IGBT市场规模有望突破600亿元,2020-2025年复合增长率达18.7%,形成三大

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IGBT有四层结构,P-N-P-N,包括发射极、栅极、集电极。栅极通过绝缘层(二氧化硅)与沟道隔离,这是MOSFET的部分,控制输入阻抗高。然后内部有一个P型层,形成双极结构,这是BJT的部分,允许大电流工作原理,分三个状态:截止

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除了传统的应用领域,IGBT在新兴领域的应用也在不断拓展。在5G通信领域,IGBT用于基站电源和射频功放等设备,为5G网络的稳定运行提供支持;在特高压输电领域,IGBT作为关键器件,实现了电力的远距离、大容量传输。在充电桩领域,I

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